直接说结果：迁移率随温度的上升而降低。

如图示半导体物理书中的图：

晶格振动散射随着温度升高可以降低迁移率：理解为，温度越高晶格的震动幅度越大，也就导致越容易与载流子发生碰撞，进而减小迁移率；

电离杂质散射随着温度的升高可以提高迁移率：理解为，随着温度上升，电子运动速度变快，速度越快越容易脱离已电离杂质的影响。打个不恰当的比方，前方有一个吸铁石，两个仅是速度不同的铁块沿相同路径先后经过，可定是速度都快的铁块的速度改变的程度小。